PHB191NQ06LT,118 دیتاشیت

PHB191NQ06LT,118

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB191NQ06LT,118
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت PHB191NQ06LT,118

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PHB191NQ06LT,118
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 95.6nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 55V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7665pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 75A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@25A,10V
  • Package: SOT-404
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه